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氮化鋁 - 维基百科，自由的百科全书
纖鋅礦狀態的氮化鋁 (w-AlN)是一種寬帶隙 (Wide-bandgap Semiconductor)的半導體材料 (6.2 eV)。 故也是可應用於深 紫外線 光電子學 的 半導體 物料。 氮化鋁于1877年首次合成。 至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷 絕緣體 (多晶體物料為 70-210 W‧m −1 ‧K −1，而單晶體更可高達 275 W‧m −1 ‧K −1 )，使氮化鋁有較高的 傳熱 能力，至使氮化鋁被大量應用于 微電子學。 与 氧化鈹 不同的是氮化鋁無毒。 氮化鋁用金屬處理，能取代 礬土 及 氧化鈹 用於大量電子儀器。 氮化鋁 …
氮化铝 - 百度百科
氮化铝，共价键化合物，化学式为AlN，是共价晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。
Aluminium nitride - Wikipedia
Aluminium nitride (Al N) is a solid nitride of aluminium. It has a high thermal conductivity of up to 321 W/ (m·K) [5] and is an electrical insulator. Its wurtzite phase (w-AlN) has a band gap of ~6 eV at room temperature and has a potential application in optoelectronics operating at deep ultraviolet frequencies.
The New ALN OnLine - ALN Apartment Data
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首次突破！美国亚利桑那州立大学：单晶氮化铝AlN衬底上的MESFE…
5 days ago · 生长过程中添加了氮化镓覆盖层，以保护AlN不受空气氧化的影响。生成的材料表面粗糙度为0.4nm，位错密度为10 4 /cm 2 。 研究团队评论道：“与蓝宝石上的异质外延AlN相比，单晶AlN衬底上的同质外延AlN的位错密度要低三个数量级，这可以提高AlN器件的性能。
ALN OnLine - ALN Apartment Data
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氮化铝 - 维基百科，自由的百科全书
纤锌矿状态的氮化铝 (w-AlN)是一种宽带隙 (Wide-bandgap Semiconductor)的半导体材料 (6.2 eV)。 故也是可应用于深 紫外线 光电子学 的 半导体 物料。 氮化铝于1877年首次合成。 至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷 绝缘体 (多晶体物料为 70-210 W‧m −1 ‧K −1，而单晶体更可高达 275 W‧m −1 ‧K −1 )，使氮化铝有较高的 传热 能力，至使氮化铝被大量应用于 微电子学。 与 氧化铍 不同的是氮化铝无毒。 氮化铝用金属处理，能取代 矾土 及 氧化铍 用于大量电子仪器。 氮化铝 …
氮化铝AlN的发展和制备方法 - Around Physics
Apr 1, 2024 · 氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。
氮化铝_化工百科 - ChemBK
氮化铝(AlN)是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。AlN的晶体结构类型为六方纤锌矿型，具有密度小(3.26g/cm3)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。 氮化铝（AlN）最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。
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